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什么是有源层? 半导体带隙问题

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什么是有源层? 半导体带隙问题 窄带隙忆阻有源层是不是就是加在P型和N型中间的一层过渡层呢?望指教!半导体制造工艺进行扩散和注入,形成 IC 有源器件的部分 这种结构由三层不同类型半导体材料构成,中间层通常为厚度为01~03μm的窄带隙P型半导体,称

怎样解释宽带隙和 窄带隙单体。。宽。窄指什么带隙:导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙超过3ev的被认为是宽带隙半导体,例如GaN、SiN和ZnO,小于3ev的就是窄带隙。带隙越大,电子由价带被激发到导带越难,本征载流子浓度就越低,电导率也就越低。

半导体带隙的宽窄界限是多少?半导体禁带宽度的宽窄界限是多少?即怎样界定半导体属于宽带隙还是窄带02ev---2ev,根据范围具体判定参考pierret的半导体器件基础

有由简介带隙转化为直接带隙荧光效率为什么会大大增加直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。 电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。 间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。

为什么带隙窄的半导体高温性能不好对于带隙比较窄的半导体材料,如果温度过高,载流子浓度变大进而影响半导体的性能。

同质结,异质结和它们的区别同质结:其pn结由同一种半导体材料构成 异质结:其pn结采用不同半导体材料构成 双异质结:在宽带隙的p型和N型半导体材料之间插入一薄层窄带隙的材料 区别

为什么直接带隙半导体的发射带为窄带简单点说,从能带图谱可以看出,间接带隙半导体中的电子在跃迁时K值会发生变化,这意味着电子跃迁前后在K空间的位置不一样了,这样会极大的几率将能量释放给晶格,转化为声子,变成热能释放掉。 而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化,而无位

半导体带隙问题课上老师说半导体晶体升温后禁带会变小这是因为原子间距变大共价键中的半导体掺杂之后会引入杂志能级,以目前主流的半导体Si进行掺杂为例: Si为4族元素,掺杂3族元素B,B元素电离后作为受主能级存在在半导体之中,形成P型半导体。 此时Si元素为杂志提供了电子,则半导体中载流子为空穴。

假设gaas材料的带隙为1.43ev,求该物质发出的光波...由E=hγ γ=E/h=143x16x10^-19j/663x10^-34j,s γ=352x10^14HZ 由c=λγ λ=3x10^8m/s/352x10^14/s=85x10^-7m 该物质发出的光波长85x10^-7m,光频率是352x10^14HZ

什么是有源层?有源层是不是就是加在P型和N型中间的一层过渡层呢?望指教!半导体制造工艺进行扩散和注入,形成 IC 有源器件的部分 这种结构由三层不同类型半导体材料构成,中间层通常为厚度为01~03μm的窄带隙P型半导体,称

DOS和band带隙不一致,是什么问题MS 计算能带图分析 能带图的横坐标是在模型对称性基础上取的 K 点。为什么要取 K 点呢?因为晶体的周 期性使得薛定谔方程的解也具有了周期性。按照对称性取 K 点,可以保证以最小的计算量 获得最全的能量特征解。能带图横坐标是 K 点,其实就是

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